600V MOSFET在功率转换电路中实现更高的效率

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　　Vishay Siliconix第四代600VE系列功率MOSFET可在通信、工业和企业电源应用中实现高效率。N沟道SiHP065N60EMOSFET的推出使VishayE系列更具吸引力。下面一起来看看文章的介绍。
$ F; s$ c/ V" W2 O　　SiHP065N60E具有业界最低的的优值系数(FOM)即栅极电荷与导通电阻乘积，该参数是600VMOSFET在功率转换应用的关键指标。
+ ]1 r- w0 A" X9 w1 Y/ W　　SiHP065N60E的最大栅极电荷额定值为74nC。栅源电压为10V时，导通电阻为57mΩ。这使得其品质因数比同类中最接近的竞争MOSFET低25％。
8 J3 i  b! D. ^# v) Z9 l, |　　该器件基于Vishay最新的节能E系列超级结技术，因此能够实现这一出色的性能。与先前的600VE系列MOSFET相比，它将导通电阻降低了30％，同时产生的栅极电荷降低了约44％。
　　 凭借SiHP065N60E和第四代600VE系列的其他产品，Vishay可以在设计电源系统架构的初期就实现提高效率和功率密度的目标，包括功率因数校正（PFC）和随后的高压DC/DC转换器砖式电源。
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