查看: 288|回复: 0

[其他广告] 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

[复制链接]
发表于 2019-7-8 16:39:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
" k/ J. O7 M( R1 h6 L6 E
4 |* z& z: c' w" Z
6月5日,在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内,100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。
0 R/ b8 |8 w* }/ h( X% h9 w: o9 P- K, y, `( c; ]& U) \
中国电科二所第一事业部主任李斌说:“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪,正好咱们自己能生产了。”& V2 A! b) u* g0 j- v$ @' l
8 Z7 K2 A' R% y3 Z. s
SiC单晶是第三代半导体材料,以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性, 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料,是新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料,具有重要的应用价值和广阔的应用前景。) _- U, J8 ?: b$ n0 L) ]. ^9 T

& r. j5 A# x/ a& u& ?* z! O7 l3 A中国电科二所第一事业部主任李斌说:“高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料,单晶生长炉是SiC单晶生长的核心设备,要想生长出高质量的SiC单晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。”
* s# K3 q+ V( R( \
$ t( g- q3 {: e! y据介绍,单晶生长炉需要达到高温、高真空、高洁净度的要求,目前国内只有两家能生产单晶生长炉,中国电科二所是其中之一。他们突破了大直径SiC生长的温场设计,实现可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产;他们还突破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术,实现了99.9995%以上纯度的SiC粉料的批量生产。7 J9 d5 \7 f0 q, E  i( K: g  j# S
; l( T4 O* M( T+ |: N, N
更多信息请进:维氏硬度计 https://www.bypi.cn/; c; y3 O  K+ E$ O

本版积分规则

手机版|Archiver|网站地图|

闽公网安备 35030402009042号

©2012-2013 Ptfish.org 版权所有,并保留所有权利。 闽ICP备13000092号-1
网上报警
郑重免责声明:莆田强势社区(ptfish.org)是非商业性网站,不存在任何商业业务关系,是一个非盈利性的免费分享的社区。
本站部分内容为网友转载内容。如有侵犯隐私版权,请联系纠正、删除。本站不承担任何法律责任!
本站为网友转载出于学习交流及传递更多信息之目的,并不赞同其观点的真实性。
GMT+8, 2025-7-12 05:40, Processed in 0.063443 second(s), 21 queries, Gzip On.
Powered by Discuz! X3.4 Licensed Code ©2003-2012 2001-2025 Comsenz Inc. Corporation
快速回复 返回顶部 返回列表