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[软文推广] 600V MOSFET在功率转换电路中实现更高的效率

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    [LV.6]常住居民II

    发表于 2019-9-7 15:47:20 | 显示全部楼层 |阅读模式
      Vishay Siliconix第四代600VE系列功率MOSFET可在通信、工业和企业电源应用中实现高效率。N沟道SiHP065N60EMOSFET的推出使VishayE系列更具吸引力。下面一起来看看文章的介绍。' U  Y! Q4 `* t: M  v0 g
      SiHP065N60E具有业界最低的的优值系数(FOM)即栅极电荷与导通电阻乘积,该参数是600VMOSFET在功率转换应用的关键指标。& G2 M8 S! g% h' {0 ^) K8 }- ^  C
      SiHP065N60E的最大栅极电荷额定值为74nC。栅源电压为10V时,导通电阻为57mΩ。这使得其品质因数比同类中最接近的竞争MOSFET低25%。
    4 Q* a' L4 ~9 ^) L) l1 l% X* g9 H$ W' X  该器件基于Vishay最新的节能E系列超级结技术,因此能够实现这一出色的性能。与先前的600VE系列MOSFET相比,它将导通电阻降低了30%,同时产生的栅极电荷降低了约44%。
    ) w' G1 G, g. b6 {: M! [   凭借SiHP065N60E和第四代600VE系列的其他产品,Vishay可以在设计电源系统架构的初期就实现提高效率和功率密度的目标,包括功率因数校正(PFC)和随后的高压DC/DC转换器砖式电源。
    , D* P2 o4 n& q4 T0 d  富昌电子[FutureElectronics]是全球领先的电子元器件分销商,提供全面的[红外发射器]等产品线,在业界享有盛名。作为一家全球整合的公司,富昌电子依托全球一体化信息平台,使客户能够实时查询库存情况和供需动态。富昌电子名列[电子元器件供应商排名],为您提供包括[C1005X5R0J475K050BC]在内的热门料号,欢迎咨询。
    : K) g4 x( K" I) r2 R0 S  S  富昌电子https://www.futureelectronics.cn# R( P8 E  R  r5 B' A
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